回想2009年，多晶硅片效率在16.0%左右徘徊，那個時候肯定沒有人能大膽預測到，多晶硅片效率能在2015年站上19.6%。多晶硅片效率能站上19.6%，有賴于整個光伏行業(yè)上下游的共同努力，甚至輔材技術的進步也功不可沒。本文首先回顧高效多晶硅片的研究歷史，最后斗膽預測一下高效多晶硅片未來的研發(fā)方向，不一定對，僅供各位鑄錠技術人員參考。

一、高效多晶硅片的研究歷史

如果說無錫尚德是太陽能電池技術人員的培養(yǎng)基地的話，那么賽維就是鑄錠行業(yè)的黃埔軍校。目前國內(nèi)各個鑄錠廠都有賽維出身的生產(chǎn)技術人員，之所以出現(xiàn)這種局面，除了賽維在鑄錠行業(yè)起步較早之外，是因為賽維有一位鑄錠行業(yè)的權(quán)威——萬躍鵬博士，我們先來看看從網(wǎng)上搜到的萬博士的照片與簡歷：

萬躍鵬江西南昌人。LDKSolar公司資深副總裁、首席技術官（CTO），國際知名的太陽能多晶硅定向生長設備與工藝技術權(quán)威。

萬躍鵬1986年畢業(yè)于中國科技大學機械工程系，1989年于該系研究生畢業(yè)，獲碩士學位并留校任教，1997年于德國亞琛工業(yè)大學機械工程系獲博士學位。隨后在美國紐約州立大學機械與材料工程系做博士后研究。先后在美國GTSolar公司任高級工程師、研發(fā)主任。2007年2月開始加入地處江西新余市的江西賽維LDK太陽能高科技有限公司。該公司于2007年6月成功登陸美國主板證券市場(NYSE)，成為一家國際企業(yè)（LDKSolarLtd）。其發(fā)展之迅猛被世界太陽能光伏業(yè)界引為奇跡。

目前在國內(nèi)流行的鑄高效錠工藝，就是萬博士帶領他的研發(fā)團隊于2011年底研發(fā)出來的，但是在研發(fā)出這種鑄高效錠工藝之前，賽維技術研究院花了大量的人力物力財力進行了大量的實驗，可以說賽維不僅為國內(nèi)鑄錠行業(yè)培養(yǎng)了大量的人才，也為國內(nèi)鑄錠工藝的進步做出了巨大的貢獻。

二、高效多晶硅片未來的研發(fā)方向

1、類單晶

2010年，國內(nèi)以賽維、晶海洋、浙江大學等為代表的企業(yè)與學校掀起了一股研究鑄硅單晶的熱潮，類單晶硅片與硅塊如上圖所示，但是由于類單晶晶粒較大，較大的晶粒導致了較大的應力，無法釋放的應力導致在類單晶中產(chǎn)生了大量的T型位錯與小角度晶界，而且從底部到頂部，T型位錯與小角度晶界呈現(xiàn)這么一種規(guī)律：從底部到頂部位錯逐步增加，這種規(guī)律導致了類單晶硅錠底部的硅片效率與單晶相當，頂部硅片的效率甚至低于普通硅片，類單晶硅片效率分布如下圖4所示。由于效率分布區(qū)間從16%一直到17.7%，且有50%的電池片效率低于17%，因此，電池生產(chǎn)企業(yè)無法接受這種硅片，因為這意味著有接近一半的電池片無法銷售。

但是只要我們解決了這個位錯從底部到頂部逐步增殖的這個難題，那么類單晶將會展現(xiàn)出強大的生命力，因為這意味著類單晶整體效率和單晶相當了。

2、高效坩堝

高效坩堝在2013年曾經(jīng)掀起了一個小高潮，其機理如下圖所示。

在普通坩底部形核的晶粒生長方向雜亂無序，晶粒之間相互碰撞會產(chǎn)生位錯；而高效坩堝底部由于有很多二氧化硅顆粒作作為形核點，會生成大量的小晶粒，小晶粒在生長過程中會有一個相互競爭的過程，位錯多的晶粒在生長過程中逐步消失，位錯少的晶粒趁勢越長越大，最終吞并位錯多的晶粒。

個人還是很看好高效坩堝的，其技術進步將帶來硅片效率提高，在不久的將來高效坩堝將掀起一個更高的高潮。國內(nèi)的核晶坩堝重視技術研發(fā)，重視創(chuàng)新。其高純坩堝鐵含量在2ppm以下，高效坩堝也一直都在研發(fā)中，據(jù)說其正在和煙臺同立高科新材料股份有限公司合作，共同開發(fā)免噴涂高效坩堝。

3.高效氮化硅粉

目前同立占領了國內(nèi)光伏行業(yè)用氮化硅60%以上的市場份額。協(xié)鑫GCL80%以上的氮化硅來自同立，每月同立供給協(xié)鑫的氮化硅超過了5噸；而晶海洋使用同立的氮化硅的比例甚至接近100%；晶科、韓華等使用同立氮化硅的比例也在60%-80%之間，其它使用比例在50%的企業(yè)就不一一例舉了。可以說同立氮化硅幾乎壟斷了國內(nèi)光伏行業(yè)用氮化硅市場，同立能達到如此高的市場占有率，和它產(chǎn)品質(zhì)量過硬、技術領先分不開關系。

同立董事長花重金從國內(nèi)鑄錠企業(yè)挖來了一位技術總監(jiān)，該技術總監(jiān)目前正帶領同立的研發(fā)團隊研發(fā)高效氮化硅粉和高純氮化硅粉。高效氮化硅粉其技術原理就是讓氮化硅粉在鑄錠過程中充當形核劑，類似于目前國內(nèi)流行的半融法鑄錠工藝，半融法鑄錠工藝采用碎硅片充當形核劑，而同立正在研發(fā)中的高效氮化硅粉噴涂在坩堝上后，利用氮化硅涂層與硅液的不浸潤性，通過特殊工藝使高效氮化硅粉起到碎硅片的作用，從而生產(chǎn)出和半融法工藝效率相當?shù)母咝Ч桢V，據(jù)說此技術正在實驗中。而同立的高純氮化硅粉已獲得了突破，其新產(chǎn)品TS3的鐵雜質(zhì)含量已經(jīng)做到2ppm以下，目前實驗已獲得了成功，正在量產(chǎn)轉(zhuǎn)化中。不過，個人更看好高效氮化硅粉，此技術的應用將大大提高高效硅錠的成品率。

此文僅代表作者個人觀點。