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【干貨】高效多晶硅片技術(shù)回顧及預(yù)測

光伏產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 發(fā)布日期:2016-06-27
核心提示: 回想2009年,多晶硅片效率在16.0%左右徘徊,那個(gè)時(shí)候肯定沒有人能大膽預(yù)測到,多晶硅片效率能在2015年站上19.6%。多晶硅片效率能

回想2009年,多晶硅片效率在16.0%左右徘徊,那個(gè)時(shí)候肯定沒有人能大膽預(yù)測到,多晶硅片效率能在2015年站上19.6%。多晶硅片效率能站上19.6%,有賴于整個(gè)光伏行業(yè)上下游的共同努力,甚至輔材技術(shù)的進(jìn)步也功不可沒。本文首先回顧高效多晶硅片的研究歷史,最后斗膽預(yù)測一下高效多晶硅片未來的研發(fā)方向,不一定對,僅供各位鑄錠技術(shù)人員參考。

一、高效多晶硅片的研究歷史

如果說無錫尚德是太陽能電池技術(shù)人員的培養(yǎng)基地的話,那么賽維就是鑄錠行業(yè)的黃埔軍校。目前國內(nèi)各個(gè)鑄錠廠都有賽維出身的生產(chǎn)技術(shù)人員,之所以出現(xiàn)這種局面,除了賽維在鑄錠行業(yè)起步較早之外,是因?yàn)橘惥S有一位鑄錠行業(yè)的權(quán)威——萬躍鵬博士,我們先來看看從網(wǎng)上搜到的萬博士的照片與簡歷:

萬躍鵬江西南昌人。LDKSolar公司資深副總裁、首席技術(shù)官(CTO),國際知名的太陽能多晶硅定向生長設(shè)備與工藝技術(shù)權(quán)威。

萬躍鵬1986年畢業(yè)于中國科技大學(xué)機(jī)械工程系,1989年于該系研究生畢業(yè),獲碩士學(xué)位并留校任教,1997年于德國亞琛工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程系獲博士學(xué)位。隨后在美國紐約州立大學(xué)機(jī)械與材料工程系做博士后研究。先后在美國GTSolar公司任高級工程師、研發(fā)主任。2007年2月開始加入地處江西新余市的江西賽維LDK太陽能高科技有限公司。該公司于2007年6月成功登陸美國主板證券市場(NYSE),成為一家國際企業(yè)(LDKSolarLtd)。其發(fā)展之迅猛被世界太陽能光伏業(yè)界引為奇跡。

目前在國內(nèi)流行的鑄高效錠工藝,就是萬博士帶領(lǐng)他的研發(fā)團(tuán)隊(duì)于2011年底研發(fā)出來的,但是在研發(fā)出這種鑄高效錠工藝之前,賽維技術(shù)研究院花了大量的人力物力財(cái)力進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn),可以說賽維不僅為國內(nèi)鑄錠行業(yè)培養(yǎng)了大量的人才,也為國內(nèi)鑄錠工藝的進(jìn)步做出了巨大的貢獻(xiàn)。

二、高效多晶硅片未來的研發(fā)方向

1、類單晶

2010年,國內(nèi)以賽維、晶海洋、浙江大學(xué)等為代表的企業(yè)與學(xué)校掀起了一股研究鑄硅單晶的熱潮,類單晶硅片與硅塊如上圖所示,但是由于類單晶晶粒較大,較大的晶粒導(dǎo)致了較大的應(yīng)力,無法釋放的應(yīng)力導(dǎo)致在類單晶中產(chǎn)生了大量的T型位錯(cuò)與小角度晶界,而且從底部到頂部,T型位錯(cuò)與小角度晶界呈現(xiàn)這么一種規(guī)律:從底部到頂部位錯(cuò)逐步增加,這種規(guī)律導(dǎo)致了類單晶硅錠底部的硅片效率與單晶相當(dāng),頂部硅片的效率甚至低于普通硅片,類單晶硅片效率分布如下圖4所示。由于效率分布區(qū)間從16%一直到17.7%,且有50%的電池片效率低于17%,因此,電池生產(chǎn)企業(yè)無法接受這種硅片,因?yàn)檫@意味著有接近一半的電池片無法銷售。

但是只要我們解決了這個(gè)位錯(cuò)從底部到頂部逐步增殖的這個(gè)難題,那么類單晶將會(huì)展現(xiàn)出強(qiáng)大的生命力,因?yàn)檫@意味著類單晶整體效率和單晶相當(dāng)了。

2、高效坩堝

高效坩堝在2013年曾經(jīng)掀起了一個(gè)小高潮,其機(jī)理如下圖所示。

在普通坩底部形核的晶粒生長方向雜亂無序,晶粒之間相互碰撞會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò);而高效坩堝底部由于有很多二氧化硅顆粒作作為形核點(diǎn),會(huì)生成大量的小晶粒,小晶粒在生長過程中會(huì)有一個(gè)相互競爭的過程,位錯(cuò)多的晶粒在生長過程中逐步消失,位錯(cuò)少的晶粒趁勢越長越大,最終吞并位錯(cuò)多的晶粒。

個(gè)人還是很看好高效坩堝的,其技術(shù)進(jìn)步將帶來硅片效率提高,在不久的將來高效坩堝將掀起一個(gè)更高的高潮。國內(nèi)的核晶坩堝重視技術(shù)研發(fā),重視創(chuàng)新。其高純坩堝鐵含量在2ppm以下,高效坩堝也一直都在研發(fā)中,據(jù)說其正在和煙臺(tái)同立高科新材料股份有限公司合作,共同開發(fā)免噴涂高效坩堝。

3.高效氮化硅粉

目前同立占領(lǐng)了國內(nèi)光伏行業(yè)用氮化硅60%以上的市場份額。協(xié)鑫GCL80%以上的氮化硅來自同立,每月同立供給協(xié)鑫的氮化硅超過了5噸;而晶海洋使用同立的氮化硅的比例甚至接近100%;晶科、韓華等使用同立氮化硅的比例也在60%-80%之間,其它使用比例在50%的企業(yè)就不一一例舉了??梢哉f同立氮化硅幾乎壟斷了國內(nèi)光伏行業(yè)用氮化硅市場,同立能達(dá)到如此高的市場占有率,和它產(chǎn)品質(zhì)量過硬、技術(shù)領(lǐng)先分不開關(guān)系。

同立董事長花重金從國內(nèi)鑄錠企業(yè)挖來了一位技術(shù)總監(jiān),該技術(shù)總監(jiān)目前正帶領(lǐng)同立的研發(fā)團(tuán)隊(duì)研發(fā)高效氮化硅粉和高純氮化硅粉。高效氮化硅粉其技術(shù)原理就是讓氮化硅粉在鑄錠過程中充當(dāng)形核劑,類似于目前國內(nèi)流行的半融法鑄錠工藝,半融法鑄錠工藝采用碎硅片充當(dāng)形核劑,而同立正在研發(fā)中的高效氮化硅粉噴涂在坩堝上后,利用氮化硅涂層與硅液的不浸潤性,通過特殊工藝使高效氮化硅粉起到碎硅片的作用,從而生產(chǎn)出和半融法工藝效率相當(dāng)?shù)母咝Ч桢V,據(jù)說此技術(shù)正在實(shí)驗(yàn)中。而同立的高純氮化硅粉已獲得了突破,其新產(chǎn)品TS3的鐵雜質(zhì)含量已經(jīng)做到2ppm以下,目前實(shí)驗(yàn)已獲得了成功,正在量產(chǎn)轉(zhuǎn)化中。不過,個(gè)人更看好高效氮化硅粉,此技術(shù)的應(yīng)用將大大提高高效硅錠的成品率。

此文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)。

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